近日，南京大学电子科学与工程学院邱浩副教授与施毅教授团队在功率器件驱动领域取得重要突破。针对氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在高压高速开关时产生的剧烈共模瞬态（CMT）干扰问题，研究团队提出两项创新技术：一是自适应跨导增强技术，通过实时检测正/负CMT事件并增强振荡器跨导，显著提升系统抗干扰能力；二是补偿型频移键控（FSK）解调器，在传统解调器中增加补偿路径，消除数据符号持续时间不等的问题，确保通信稳定性。基于0.18μm BCD工艺流片验证的隔离系统实测显示，静态共模瞬态抗扰度（CMTI）高达299kV/μs，在181kV/μs强干扰下仍支持117Mb/s高速通信，误码率低至10⁻⁸，支持纳秒级最小脉冲宽度，核心指标达国际领先水平。该成果可应用于机器人、激光器、数据中心供电等领域，相关论文于2025年12月2日发表于集成电路顶刊《IEEE固态电路杂志》（JSSC）。