国内团队破解芯片光刻缺陷难题？研究者回应

2 天前

10月27日消息，近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及其合作者在《自然·通讯》上发表了一篇论文，引发广泛关注。该研究首次将冷冻电子断层扫描技术（Cryo-ET）应用于半导体领域，在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布及缠结行为，并据此开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案。该方案能使光刻技术减少图案缺陷的效率提升超99%。彭海琳在采访中表示，研究成果可直接应用于半导体制造，技术方案可行且与现有设备兼容。