俄罗斯科学院微结构物理研究所公布了国产极紫外（EUV）光刻设备的长期发展路线图。该设备工作波长为11.2纳米，项目周期从2026年开始，初期采用40纳米制造技术，预计到2037年实现亚10纳米制程工艺。此方案未复刻ASML的架构，而是采用了混合固态激光器、氙气等离子体光源和钌铍反射镜，以降低设备维护需求并规避先进制程中的复杂步骤。路线图分为三个阶段，设备分辨率将覆盖65纳米至9纳米，预计单位成本将低于ASML平台。然而，研发团队未提及11.2纳米波长激光器面临的复杂性，因此计划的可执行性尚不明确。该系列设备旨在满足小型晶圆厂的需求，若成功落地，有望以低成本支撑芯片制造与出口。