曝长江存储计划进军DRAM市场目标研发HBM

2 天前

2025年9月26日消息，中国NAND闪存大厂长江存储计划进军DRAM市场，研发包括HBM在内的DRAM产品。HBM是生产AI芯片的关键技术，目前主要由美国美光、韩国SK海力士和三星主导。长江存储已开始研发用于堆叠DRAM的硅穿孔（TSV）技术，并考虑将武汉新工厂部分产能转为DRAM生产。此前，长江存储在闪存领域积累丰富经验，其Xtacking技术已实现270层堆叠量产，并持有大量混合键合专利。此次进军DRAM市场，长江存储将与长鑫存储等企业共同推动国产HBM技术发展。