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中国科学院微电子所在碳硅三维异质集成器件上取得进展
1 周前
随着集成电路密度持续提升，晶体管工艺节点不断缩小，已接近物理极限。三维互补式场效应晶体管（3D CMOS）技术被视为突破这一局限的潜在方案。然而，传统硅基3D CMOS集成技术面临热预算较高的问题，这不仅增加了工艺复杂性，提高了成本，还可能引发性能退化，从而限制了其商业应用。
