台积电正考虑拓展先进内存芯片制造业务，已着手制定3D DRAM生产计划，以响应最大客户英伟达的需求。3D DRAM通过垂直堆叠内存单元提升容量，有别于传统单层DRAM。目前全球内存芯片制造由三星、SK海力士、美光主导，三者均在布局3D DRAM。受AI硬件热潮推动，内存芯片严重短缺、价格飙升，英伟达、苹果等芯片设计企业正寻求额外供应来源，苹果此前曾因内存成本上升上调设备价格。
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