据韩媒消息，韩国半导体行业人士透露，三星电子半导体采购部门对明年的生产工艺情况进行模拟后，判断EUV空白掩膜版用量将大幅增长，因此向日本空白掩膜龙头豪雅（HOYA）提出，希望增加空白掩膜版供应量。但豪雅表示，其他半导体制造商的需求也在大幅增长，难以完全满足三星电子提出的增供要求。

掩膜版是光刻工艺的图形母版、晶圆制造第三大材料，而空白掩膜版则是掩膜版上游的关键环节之一。若空白掩膜版供应不足，新芯片开发的光掩模版制造以及量产过程中光掩模版更换都将受到延误。三星此次主动向豪雅求增供，正是基于对明年EUV用量增长的预判。

今年三星EUV空白掩膜版用量大约5500片。其内部模拟结果显示，未来3年，用量每年或将增长25%左右。用量增长源于多重原因。

在DRAM方面，三星1b工艺需要使用4至5片EUV光掩模，Ic工艺需要6至7片，预计2027年下半年投入量产的1d工艺，所需EUV光掩模将进一步增加至约10片。在晶圆代工业务方面，三星4纳米工艺需要使用15至16片EUV光掩模，3纳米工艺约需20片，2纳米工艺则需要25至27片。据悉，三星电子利用4纳米工艺生产移动应用处理器（AP）和HBM的基础裸片，同时正在扩大2纳米产品的研发和量产规模。从DRAM到先进制程代工，工艺节点越往下走，单条产线所需的EUV光掩模数量就越多，这构成了三星EUV空白掩膜版用量持续攀升的结构性原因。

供给端的格局并不宽松。据业内估计，全球EUV空白掩模版市场中，豪雅占据约70%至75%的份额，日本AGC占据约20%至25%。过去，三星使用豪雅和AGC产品的比例约为8:2，但后来由于AGC产品出现质量问题及规格变更等因素，豪雅在三星采购中的占比已提升至90%以上。这意味着，三星在EUV空白掩膜版这一关键材料上对豪雅的依赖度已相当高，豪雅产能的任何波动都容易传导至三星的采购端。

豪雅方面并非没有扩产动作。今年4月，豪雅宣布将在新加坡投资约420亿日元（约合17.6亿元人民币）建设一座EUV空白掩膜版新厂。不过该厂预计要到2028财年才能投产，因此无法增加明年供应量。豪雅也在近期公布的2026财年第二季度财报中表示，EUV空白掩模版销售额同比增长超过25%，且仅依靠一座新厂，可能仍难以满足新增市场需求。扩产周期与需求增速之间的时间差，正是三星增供请求难以被完全满足的现实背景。

为实现采购渠道多元化，三星电子正在推进引入韩国S&S TECH生产的EUV空白掩模版，目前正处于导入量产工艺前的最终评估阶段。据悉，其主要薄膜特性已达到要求，但在颗粒物等部分指标上仍需进一步改善。如果最终通过评估，这将是韩国国产EUV空白掩膜版首次应用于三星生产工艺。

从向豪雅求增供，到推进S&S TECH导入，三星在EUV空白掩膜版上的动作，折射出先进制程与DRAM工艺演进对关键材料供给提出的更高要求。在豪雅新厂投产前，EUV空白掩膜版的供应偏紧格局短期内难以根本缓解，三星的采购多元化和供应商评估进展，仍有待后续观察。