科技媒体The Information 11月6日援引两名知情人士报道，全球最大晶圆代工厂台积电正考虑进军先进存储芯片制造，以在快速扩张的AI硬件供应链中获取更大份额。报道称，台积电近期已应其最大客户英伟达的要求，着手规划生产一种名为3D DRAM的先进存储芯片，目前尚不清楚预计何时投产，可能的选项包括新建专用工厂，或收购现有工厂改造为存储生产设施。

知情人士补充称，该项目由台积电负责先进封装业务的副总经理徐国钦牵头，其团队具备芯片三维堆叠经验，涉及CoWoS等先进封装技术。收购改造路径已有先例：今年3月，美光以18亿美元收购力积电一座工厂，计划改造用于先进存储芯片生产。

值得注意的是，台积电并非首次涉足存储领域。其曾在20世纪90年代至2000年代末生产常规存储芯片，2008年二季度之前，公司财报还单独披露存储业务收入。

不过，该消息仍属市场传闻。台积电回应称“不评论市场传闻或揣测”，并强调公司始终聚焦晶圆代工核心业务；英伟达则未回应置评请求。

DRAM即动态随机存取存储器，用于在电子设备中暂时存储数据。传统DRAM将存储单元单层排布，而3D DRAM把存储单元垂直堆叠，在单颗芯片内塞入更多存储单元，从而实现更高的存储密度。这与把多颗DRAM芯片堆叠封装的高带宽存储器（HBM）不同——3D DRAM改变的是存储单元本身的排列结构，而不只是把现有芯片叠起来。

当前存储芯片市场由三星、SK海力士和美光三家主导，这三家公司也都在研发3D DRAM技术，下一代存储制造赛道的竞争已经拉开序幕。

针对上述传闻，中国台湾经济研究院产业数据库总监刘佩真11月8日接受采访时分析，从产业逻辑与商业动机来看，台积电应英伟达要求规划3D DRAM制造并非完全不可能。随着人工智能（AI）芯片算力飙升，高带宽与高密度的存储已成为硬件效能与供给的最主要瓶颈，加上韩系三大厂商供给紧绷且报价高昂，驱使英伟达极力寻找非韩系的多样化产能保障。

行业数据同样印证了存储供给的紧张：在高端AI训练集群中，HBM的成本已占整机物料清单（BOM）的20%至25%，HBM3E 12-Hi单颗价格超过1500美元，下一代HBM4单颗价格可能突破2500美元；而HBM产能爬坡必须等晶圆厂建成、设备搬入、TSV良率达标，SK海力士最快的扩产节点要到2027年2月。

刘佩真分析，技术上台积电早已具备3D DRAM相关的垂直结构与先进封装专利，能够天然延伸至先进存储堆叠领域；然而，存储制造的资本支出极高，利润率与逻辑芯片代工存在天壤之别，且直接切入可能破坏与SK海力士等封装生态圈伙伴的合作默契。

因此她认为，台积电短期内应会以共同开发或专用技术验证为主，不至于贸然转型为标准型存储的大规模量产厂。

历史上，存储紧缺往往引发厂商扎堆扩产，但等到新增产能落地时，需求常常已经回落，进而压低价格、侵蚀厂商利润率。这种暴涨暴跌的循环，可能让台积电在推进存储项目时更加审慎，尤其如果后续几个季度供给增加、需求走弱。