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捷捷微电“一种SiC基RC-IGBT的结构及其制备方法”专利公布

2024-12-28

江苏捷捷微电子股份有限公司公布了“一种SiC基RC-IGBT的结构及其制备方法”专利，申请公布日期为2024年11月15日，公布号为CN118969829A。该专利涉及半导体技术领域，利用SiC材料制备RC-IGBT结构，具有内置二极管Vf小、反向恢复时间短等特点。

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