英特尔拟推双面供电14A Gen2工艺迎战台积电与三星1.4纳米攻势

4 小时前

据行业媒体报道，为应对台积电与三星电子未来推出的1.4纳米级芯片技术，英特尔正调整工艺路线图，计划在14A工艺基础上推出改良版14A2（即14A Gen2）。英特尔此前已公布14A工艺细节，该工艺定位为1.4纳米级，预计2027年推出，2028年量产，采用第二代RibbonFET晶体管与PowerDirect直接触点供电技术，能效较18A提升15-20%，功耗降低25-35%，晶体管密度提升20-30%。改良版14A2或进一步优化性能与能效，以巩固英特尔在先进制程领域的竞争力。