美光科技正加速推进第六代高带宽内存HBM4的产能优化，其优化速度是去年HBM3 12层产品的两倍，且良率提升显著。HBM4将应用于英伟达的人工智能计算平台Vera Rubin。其产能提升得益于前代产品的经验积累、采用10纳米级第五代1β工艺制造核心芯片，以及基底芯片的优化。下一代HBM4E标准产品计划明年量产，其核心芯片将采用10纳米级第六代1γ工艺，并首次引入ASML极紫外光刻设备，基底芯片则交由台积电代工。同时，美光也在筹备客户定制产品。竞争对手三星电子和SK海力士也在以1c工艺开发HBM4E，三星计划今年二季度出货样品，SK海力士则计划今年下半年提供样品，明年量产。美光预计，到今年中期，基于1γ工艺的DRAM及第九代NAND闪存产品出货量将占总出货量的一半以上，1γ DRAM将成为按晶圆产量计算的最大单一DRAM工艺。