三星HBM研发缩至一年 全力绑定英伟达抢单
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2026年4月18日消息,三星电子决定将高带宽内存(HBM)研发周期从两年缩短至一年以内,并计划每年推出新一代HBM,以配合英伟达等客户新款AI加速器的发布。三星最新量产产品为HBM3E,下一代HBM4预计随英伟达Vera Rubin及AMD Instinct MI400平台推出。首批HBM4E样品计划于2026年5月产出,优先供英伟达评估。

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