据ZDnet报道，SK海力士正推进一项提升HBM4稳定性和性能的封装技术革新，核心措施为增加DRAM厚度和缩小DRAM层间距，目前该技术处于验证阶段，若成功商业化，将缩小HBM4及未来产品在DRAM性能上的差距。
简体中文 English
简体中文
English