宣称2nm技术良率大突破:三星再提超越台积电目标
2 天前

据报道,三星电子近期在先进半导体技术领域表现出强劲信心,特别是对其2纳米GAA制程的进展持高度乐观态度。在一次由总统办公室政策首席Kim Yong-beom主持的半导体产业会议上,三星设备解决方案部门总裁兼技术长Song Jae-hyuk对2纳米GAA制程给予了极高评价。三星已将其2纳米GAA制程的良率目标从原先的50%大幅提高至70%,并预计在2025年底达成。首款采用此技术的芯片为三星自研SoC-Exynos 2600,该芯片初步内部测试结果显示,在多项测试中击败了竞争对手。三星还完成了第二代2纳米GAA制程的基本设计,并预计在未来两年内完成第三代2纳米GAA制程的开发。

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