报道：台积电计划将12英寸单晶碳化硅（SiC）应用于散热载板

2 天前

9月12日消息，台积电正广发合作邀请，号召设备厂与化合物半导体厂商参与，计划将12英寸单晶碳化硅（SiC）用于散热载板，替代传统氧化铝、蓝宝石或陶瓷基板。随着AI计算带来更高热能负荷，传统散热材料已难以满足需求，导致芯片性能下滑。碳化硅热导率高达400-500W/mK，远超陶瓷基板的200-230W/mK，更能满足数据中心与AI高运算的散热需求。目前，6英寸SiC晶圆是主流，8英寸是未来方向，而台积电要求的12英寸SiC对结构瑕疵要求较低，但切割技术是关键。同时，英伟达也计划在新一代GPU芯片封装中采用碳化硅衬底作为中介层材料。