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台积电A14/A16工艺放弃使用High NA EUV光刻机技术
1 周前
台积电宣布，其A14（1.4纳米）和A16工艺将不采用High NA EUV技术，这与积极采用该技术的英特尔形成鲜明对比。台积电选择使用Low NA多重曝光技术，主要出于成本效益考虑，因为High NA EUV设备价格高达3.85亿美元。尽管如此，台积电计划在2029年推出的A14P将采用背面供电技术，并暗示后续的A14X可能成为采用High NA EUV技术的候选者。这一决策显示了台积电在平衡技术先进性和成本效益方面的深思熟虑。
