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森国科“具有异质结的Si/SiCMOS器件及制作方法”专利公布

1 周前

深圳市森国科科技股份有限公司的“具有异质结的Si/SiCMOS器件及制作方法”专利于2025年3月7日公布，申请公布号为CN119584591A。该专利涉及半导体技术领域，器件兼具SiC高击穿电压和Si高沟道迁移率优势，具有提高击穿电压、降低导通电阻和功耗低等特点，增强了低压条件下使用稳定性。

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