西安电子科技大学郝跃院士团队在宽禁带半导体材料集成领域取得突破。近日，该团队张进成教授、宁静教授等人成功实现高质量β-Ga2O3薄膜与高导热多晶金刚石衬底的有效集成，相关成果以“Van der Waals β-Ga₂O₃ thin films on polycrystalline diamond substrates”为题在线发表于《Nature Communications》。该研究通过引入石墨烯作为晶格解耦层，有效屏蔽多晶金刚石衬底晶向无序带来的晶格失配影响，成功实现(-201)取向β-Ga₂O₃薄膜的可控外延，为氧化镓基高性能功率电子器件的热管理难题提供了全新解决路径。