1.苹果大打存储破坏战!传高价买断移动DRAM 不惜牺牲利润扩张市占
2.涉嫌信披违规 电科数字被证监会立案调查
3.DeepSeek 新模型将采华为芯片 舍弃英伟达重塑全球竞争格局
4.美FCC拟扩大中国电子设备进口管制
5.国产硅片企业2025年报透视:盈利分化、研发加码、尺寸升级
6.博通总监眼中的AI 算力三大瓶颈,产能缺口恐至2027年
1.苹果大打存储破坏战!传高价买断移动DRAM 不惜牺牲利润扩张市占
存储市场混乱之际,wccftech 引述韩国消息人士说法报导,苹果正以「极高价格采购市场上所有可用的移动DRAM、甚至不惜牺牲利润」,以阻止竞争对手获得足够的记忆体晶片。报导形容苹果正利用自己的庞大资源,积极扩张领地。

天风国际证券分析师郭明錤近期指出,在存储市场持续混乱之际,苹果可能透过吸收高昂的芯片成本,并牺牲丰厚的毛利率来冻结旗下产品售价,借此大幅提升市占率。
报导指出,苹果似乎采纳了相关建议,近期推出定价599 美元的入门笔电MacBook Neo,以极具竞争力的价格打入600 至800 美元的笔电市场,这块市场价值300 亿美元、年销量可达5000 万台。
如今面对行动DRAM 产能空前考验的情况下,苹果采取了更进一步的行动。
对手被迫减产、调涨售价
目前已有迹象显示苹果的策略正发挥作用。联发科( 2454-TW ) 与高通( QCOM-US ) 最近传出减少中低阶智能手机所用的4nm芯片产量。据悉,目前的减产规模约为2 万至3 万片晶圆,相当于1500 万至2000 万颗移动芯片。
此外,三星在韩国也调涨多款装置的售价,包括512GB 和1TB 版本的平板电脑、Galaxy S25 Edge、Galaxy Z Fold 7 与Galaxy Flip 7。
苹果执行长库克曾在最近的财报电话会议上,点名存储芯片与台积电( TSM-US )( 2330-TW ) 的3nm产能是苹果主要面临的供应限制。
报导指出,从苹果最新动向来看,苹果显然决定利用自己庞大的现金流突破这些限制,并在过程中对竞争对手发动「破坏战」。
2.涉嫌信披违规 电科数字被证监会立案调查
4月3日晚间,电科数字发布公告称,公司近日收到中国证券监督管理委员会下发的《立案告知书》。因涉嫌信息披露违法违规,证监会依据《中华人民共和国证券法》《中华人民共和国行政处罚法》等相关法律法规,决定对公司正式立案调查。
与此同时,根据证监会上海监管局出具的《关于对中电科数字技术股份有限公司及侯志平采取出具警示函措施的决定》,经查,公司存在以下事实:公司在2025年12月17日至12月31日期间的2份投资者关系活动记录表及3次上证E互动信息发布中称“在卫星互联网领域,柏飞电子主要提供星载高性能计算、AI智算及射频传输三类产品”“在卫星互联网领域,柏飞电子已成功构建了全国产化的解决方案”。
然而,经监管督促,公司后续披露:卫星通信产品2025年全年订单仅约390万元,占整体业务比重不足0.1%。
警示函披露,电科数字上述投资者关系活动中的自愿披露信息不准确、不完整,存在误导性陈述、遗漏风险提示等情形,违反了《上市公司信息披露管理办法》(证监会令第226号)第三条第一款、第五条第一款的规定。根据《上市公司信息披露管理办法》(证监会令第226号)第五十三条第三项的规定,上海证监局决定对电科数字采取出具警示函的行政监管措施。
侯志平于2013年3月起任公司董事会秘书兼副总经理,对公司上述信息披露事项负有责任,违反了《上市公司信息披露管理办法》(证监会令第226号)第四条的规定。根据《上市公司信息披露管理办法》(证监会令第226号)第五十二条第一款、第五十三条第三项的规定,上海证监局决定对侯志平采取出具警示函的行政监管措施。(钜亨网)
3.DeepSeek 新模型将采华为芯片 舍弃英伟达重塑全球竞争格局
中国AI企业深度求索(DeepSeek)即将推出的新一代模型V4,传将舍弃英伟达改采华为设计的最新芯片。为筹备V4发布,包括阿里巴巴、字节跳动和腾讯控股在内的多家科技巨头,已对华为即将推出的晶片下达大规模订单,总量达数十万枚。
行业观察人士指出,若消息属实,这代表中国AI产业在算力自主化方面取得实质性进展,可能重塑全球AI技术竞争格局。特别是在当前国际科技环境日趋复杂的背景下,这种技术路线选择具有特殊的战略意义。
美国科技媒体「The Information」报导,消息人士透露,DeepSeek团队在过去半年间与华为及寒武纪科技展开深度合作,重点优化模型底层架构以适配国产晶片环境。研发团队不仅重构了部分核心代码,还针对国产硬体特性进行了多轮压力测试,确保模型在国产算力平台上的运行效率。
值得关注的是,该企业此次技术路线出现重大调整。不同于行业惯例将新模型送交辉达等美国厂商优化,DeepSeek选择提前向华为等中国供应商开放模型测试许可权。这种策略转变被解读为对国产晶片生态的实质性支持,也反映出中美科技竞争背景下企业供应链多元化的趋势。
知情人士进一步指出,DeepSeek-V4系列将包含三个不同定位的模型版本,每个版本都针对特定应用场景进行专项优化。所有模型均采用国产芯片架构设计,这意味着从硬体到软体的完整技术栈实现自主可控。这种全栈式创新模式在人工智慧领域尚属首次尝试。
市场之所以高度关注DeepSeek-V4,主要来自前代产品的影响力。先前推出的V3与R1以低成本架构切入市场,曾引发全球科技股震荡,并让投资人重新评估AI发展是否需要持续大规模投入算力资本支出。因此这种颠覆性创新,使得尚未面世的V4模型备受期待,市场普遍关注能否延续低成本突破的技术路线。(工商时报)
4.美FCC拟扩大中国电子设备进口管制
美国联邦传播委员会(FCC)于当地时间3日提议,禁止部分中国制造商电子设备进口,最新行动是延续此前停止批准相关企业新型号设备进口的进一步限制措施。

路透报导,FCC早先于美国前总统拜登政府时期,在2021年6月将华为、中兴通讯、海能达、海康威视和大华股份等中国电信及影像监控设备列入受限清单,指控相关企业设备对美国国安构成风险。随后于2022年11月再出招,宣告不再批准这些企业新型号设备在美国市场销售或进口。
报导指出,FCC的最新提议针对是否扩大禁令范围、涵盖至此前已获批的设备征求意见,并初步认为禁止这些设备继续进口和销售,有助于降低美国通讯领域风险。 FCC强调,新提议不会影响美国用户使用已购设备,但一旦政策落地,可能立即实施进口禁令,以避免企业集中抢运潮。
近年来,FCC紧盯中国科技设备产品,相关限制措施层层加码,包括禁止所有中国无人机新型号进口,以及日前宣布禁止中国制造的消费级路由器新型号进入美国市场。 FCC于2025年10月通过决议,禁止使用受限清单企业部件的设备获得新批准,并在特定情况下限制此前已获批产品。遭新规波及的海康威视于2025年12月提起诉讼,指控FCC决定越权,并批评其「试图在缺乏充分法律或证据基础的情况下,追溯性限制合法授权」。
随着「习川会」将近,稀土、芯片等科技议题将成为谈判桌上的焦点之一。美国众议院于当地时间2日接力出招,祭出「硬体技术多边协调管制法案」(MATCH Act)草案,针对15家中国企业收紧晶片设备出口管制,并从以往的游说施压进一步升级,寻求以法律约束荷兰、日本等盟友国家企业对中国输出半导体设备和技术。(工商时报)
4.国产硅片企业2025年报透视:盈利分化、研发加码、尺寸升级
硅片及硅材料在半导体产业链中处于上游核心环节,是制造集成电路、分立器件、光电器件、传感器等半导体产品的关键基础材料。硅片占据芯片总成本的30%-40%,是半导体材料中市场份额最大的品类,其质量直接影响芯片的性能和良率,对下游半导体器件的生产起着决定性作用。全球半导体硅片市场整体呈现“寡头垄断”格局,但国内企业也在持续推进国产化进程。近日,TCL中环、神工股份、有研硅、上海合晶发布2025年公司年报发布。通过上述几家企业年报可以窥见,在AI、新能源汽车等终端需求推动下,我国半导体硅片及硅材料行业正处于“国产化加速、结构升级、技术攻坚”的关键阶段,未来,大尺寸产品的技术突破、高端客户的认证突破、成本控制能力的持续优化,将成为企业竞争的核心焦点。
营收、盈利、研发财务指标透视
从营收体量来看,TCL中环半导体材料业务(半导体材料业务约占营收19.64%)依然处于规模化领先地位,2025 年实现半导体材料营业收入57.07亿元,同比增长21.75%,产品出货超1200MSI,营收及出货量稳居国内行业前列。有研硅营收10.05亿元,同比微增0.93%,业务覆盖半导体硅抛光片、刻蚀设备用材料等多领域,表现出较强的抗周期能力。上海合晶和神工股份营收规模相对集中,分别实现13.11亿元和4.38亿元营收,同比增幅分别为18.27%和44.68%,其中神工股份凭借硅零部件业务的爆发式增长,营收增速在四家企业中领跑。
盈利表现方面,行业周期性特征和业务结构差异导致盈利水平分化显著。上海合晶和神工股份实现盈利增长,上海合晶归属于上市公司股东的净利润1.25亿元,同比增长3.78%,扣除非经常性损益后的净利润1.17亿元,同比增长 8.53%,核心产品硅外延片毛利率保持在 30.13% 的较高水平。神工股份归母净利润达1.02亿元,同比大幅增长147.96%,受益于下游需求回暖及规模效应显现,毛利率提升至59.37%,其中16英寸以上大直径硅材料毛利率高达 76.09%。有研硅则面临盈利压力,归母净利润2.09亿元,同比下降10.14%,扣非归母净利润1.30 亿元,同比降幅达20.55%,主要受行业竞争及产品结构调整影响。TCL中环半导体材料业务虽保持增长,但受行业整体环境影响,一定程度上影响了盈利表现,不过其半导体材料业务毛利率达18.94%,同比增长5.7个百分点,盈利能力稳步改善。

研发投入是技术密集型行业的核心竞争力,四家企业均持续加大研发力度。TCL中环研发投入规模最大,2025年研发投入10.60亿元,占营业收入比例3.65%,累计有效授权知识产权达4763项,覆盖大尺寸硅片、BC 电池组件等领域。有研硅研发投入强度最高,研发费用9241.43万元,占营业收入比例达 9.19%,较上年提升1.33个百分点,重点推进8英寸区熔气掺硅片、MCz 新品等技术研发。上海合晶研发投入1.14亿元,同比增长14.30%,研发投入占比8.71%,报告期内申请专利50项,累计拥有境内外发明专利 34 项、实用新型专利221项。神工股份研发费用3341.42万元,同比增长33.61%,研发投入占比7.63%,新增发明专利6项、实用新型专利9项,在大直径硅材料制备、硅零部件加工等核心技术上持续突破。
三大发展趋势逐渐成形
四家企业的年报共同勾勒出 2025 年国内硅片及硅材料行业的三大发展趋势,行业正从规模扩张向高质量发展转型。
国产化替代进程持续提速,本土企业市场份额稳步提升。受益于国内半导体产业链安全需求及海外技术出口管制收紧,本土客户加速推进国产供应商认证,为国内硅片企业提供了广阔市场空间。神工股份硅零部件业务收入同比增长100.15%,进入国内主流存储芯片制造厂及等离子刻蚀设备供应链;上海合晶 12 英寸外延片销量同比增长83.03%,成功向安森美、华虹宏力等头部客户批量供货;TCL 中环半导体材料海外市场销量增长超 2 倍,中东及菲律宾的投建项目循序推进,全球化布局与国产化替代形成互补。国内企业在 8 英寸成熟制程领域已实现规模化替代,12 英寸先进制程领域也逐步打破国际垄断,国产化替代从“单点突破”向“全面开花”演进。
产品结构向大尺寸、高附加值升级,成为行业增长核心驱动力。12 英寸硅片因适配先进制程芯片制造需求,成为企业竞争的核心赛道。上海合晶郑州基地规划新增90万片/年12英寸衬底片和72万片/年12英寸外延片产能,12 英寸产品已实现低压模拟芯片与中高压功率器件全覆盖;神工股份 16 英寸以上大直径硅材料收入占比提升至56.72%,成为营收增长的核心引擎;TCL中环G12系列大尺寸硅片出货量同比增长40.8%。同时,车规级IGBT 外延片、轻掺低缺陷抛光硅片、CIS 传感器用外延片等高附加值产品需求凸显,推动行业整体盈利水平提升。
技术研发聚焦关键环节,产业链一体化布局成核心壁垒。行业技术密集型属性凸显,企业研发重点集中在大尺寸晶体生长、精密加工与缺陷控制、特殊工艺产品研发等领域。上海合晶掌握砷、磷及硼元素重掺及轻掺的长晶核心技术,具备从晶体成长到外延生长的全流程生产能力;神工股份突破无磁场大直径单晶硅制造、固液共存界面控制等核心技术。一体化布局不仅降低了供应链风险,更通过工艺协同优化提升了产品良率和参数一致性,成为本土企业突围国际竞争的关键抓手。
发展路径各有侧重
面对行业发展机遇与挑战,四家企业基于自身优势制定了差异化发展战略,形成了各具特色的竞争格局。
TCL 中环致力于打造综合材料供应商。公司坚持“国内领先,全球追赶”战略,依托半导体硅片出货量国内领先的规模优势,通过精益制造和供应链优化实现极致成本控制,硅片工费同比下降超40%。技术研发聚焦大尺寸和高效能产品,累计授权知识产权4763项,强化技术壁垒,同时依托半导体材料领域的技术积累,实现多业务协同发展,提升抗周期能力。
神工股份通过一体化优势在细分赛道突围。公司深耕刻蚀用硅材料细分领域,大直径硅材料产品覆盖14-22英寸全规格,在全球细分市场处于优势地位。核心战略是构建“材料+零部件”一体化制造体系,从大直径硅材料到硅零部件的全流程管控,为国内等离子刻蚀设备厂和存储芯片厂提供定制化解决方案。
有研硅依托国家企业技术中心、集成电路关键材料国家工程研究中心等平台优势,形成覆盖半导体硅抛光片、刻蚀设备用材料、区熔硅单晶等多产品体系,兼顾成熟制程与先进制程需求,6-8 英寸半导体硅抛光片稳定供货,12 英寸产品通过参股公司推进产能爬坡,重点推进“超越摩尔”与“扩展摩尔”相关技术,致力于从“硅材料细分领域”向“半导体核心材料与部件综合供应商”发展。
上海合晶则在差异化的外延片上发力,做强功率器件8英寸的同时发展12英寸,8 英寸外延片在电阻率均匀性、表面质量等指标上达到国际先进水平。上海晶盟48万片/年12英寸外延片产能稳定运行,郑州基地新增产能将进一步提升市场份额,CIS和Logic芯片用外延片完成送样。通过国产化替代和工艺优化实现降本增效,巩固差异化竞争优势。
5.博通总监眼中的AI 算力三大瓶颈,产能缺口恐至2027年

博通(Broadcom)产品营销总监Natarajan Ramachandran近日指出,目前AI相关供应链的三大瓶颈是:光模块产能、晶圆(意指台积电先进制程),以及PCB。他特别点名用在光收发器内部的小型PCB(Paddle Card),交期已从约六周拉长到约六个月,预期要到2027年才会缓解。 博通执行长陈福阳在3月的财报会议中也确认,博通已提前确保了2026年至2028年关键组件的供应,包含先进制程晶圆、HBM及载板。
在高阶光收发模块(如800G/1.6T)中,Paddle Card(桨式电路板)是连接外部电缆与内部光电元件的关键桥梁。这类小型PCB由于空间极小且需处理极高频信号,通常采用mSAP(改良型半加成法)制程,主要由具备高阶HDI或IC载板技术的厂商供应,包括欣兴、臻鼎-KY、金像电、定颖投控、泰鼎-KY。
为什么Paddle Card会变瓶颈?制作Paddle Card所需的mSAP制程,与生产AI服务器所需的IC载板制程部分重叠。 当全球都在疯抢HBM产能时,这些小型PCB的产能自然被挤压。1.6T模块要求极低损耗,Paddle Card必须使用高阶的超低损耗材料(Ultra Low Loss)与精密的阻抗控制,这不是一般传统PCB厂能做的。由于博通等大厂对信号质量要求极严,一旦换供应商需要六个月以上的认证期,这也是为什么Google、Meta宁愿签三至四年长约也要锁定既有厂商产能的原因。
需求量倍数成长 激光元件成CPO时代大瓶颈。为什么激光元件会成为CPO时代大瓶颈?为了支撑1.6T甚至更高频宽,激光器必须在极高温的资料中心环境下保持波长稳定。全球能做激光二极管的厂商很多,但AI数据中心要求的规格是超高功率且极低噪声的CW(连续波)激光器。许多供应商虽然能产出光芯片,但经过严格的可靠度测试后,符合CPO高标要求的良率可能不到30%。为了防止激光器损坏导致昂贵的交换器停摆,一个CPO接口往往会配置具有冗余(Redundancy)功能的外部激光源。高功率激光依赖磷化铟(InP)技术,全球具备6吋InP大规模量产能力的厂商寥寥无几。
在传统光模块中,一个模块配一个激光,但在CPO解决方案中,为了降低热影响,业界转向使用ELSFP(外部激光光源模块),这种架构导致激光晶粒的需求量并非与交换机成1:1增加,而是成倍数成长,这直接冲击了原本就吃紧的InP晶圆产能。如果最上游的InP晶圆(如联亚)或是具备自有产能的Coherent、Lumentum产能被订单塞爆,后段再多厂商也没激光晶粒可用。
针对晶圆,Ramachandran直接说「TSMC hitting production capacity limits」,并指这些先进制程产线在2026年形成瓶颈,尽管台积电计划持续扩产到2027年。很多投资人会觉得奇怪:“台积电不是一直在盖新厂、一直在扩产吗?怎么还会不够用?”实际上,真正的“超级大塞车”发生在后段的先进封装!到了CPO时代,台积电必须导入COUPE(紧凑型通用光子引擎)技术,把光学芯片与硅芯片“3维堆栈(Hybrid Bonding)”在一起。这种全新的封装难度极高,测试时间长,导致机台的产出率(UPH)在初期根本快不起来。
在2026年,博通不是只跟传统网通厂竞争,它是在跟NVIDIA、Apple、AMD、Qualcomm,以及Google、Meta、OpenAI这些砸重金做自研ASIC芯片的科技大厂们抢夺同一条生产线,当所有最顶尖的AI算力芯片、最高阶的1.6T网络交换器全部挤在台积电门口时,产能自然就变成了“配给制”,台积电就算现在决定大扩产,建厂、无尘室完工、引进ASML的极紫外光(EUV)微影设备,以及各种高阶的测试、点胶、对位机台,设备的交期动辄十二到十八个月以上。所以,2026年的产能,其实在2024、2025年就已经被各大厂包圆了。现在才要加单的,只能乖乖排队等到2027年新厂产能开出。
先进封装不是只有封装厂,真正容易变瓶颈的是,载板(CoWoS一定要)、Underfill底部填充胶(先进封装必备)、散热(AI功耗爆炸)、测试(KGD、Burn-in)、光通讯(CPO、光模块)、探针卡(先进制程测试)、切割与钻孔(TSV、Interposer)、FAU与光纤阵列(CPO必备)。台积电可以扩产,但这些供应商扩产很慢,这在2023年CoWoS大缺时已经发生过一次,例如芯片面积越来越大,消耗良率与面积,且ABF扩产动辄二至三年。缝隙纳米化,胶水不能有气泡且需耐极端热应力,特化配方极难。芯片叠合前必须确保100%没坏(KGD),老化测试(Burn-in)时间极长,严重拖慢产能。激光怕热、高功率要求严苛,模块供不应求。 节点越小,探针越细,高频高速测试要求微米级精度。晶圆变薄极易碎裂,且硅穿孔(TSV)与玻璃基板钻孔需要顶级激光技术。光纤对位容错率为次微米,无法轻易全自动化。所以当英伟达持续推进GPU架构的硬件升级,供应链瓶颈卡关、涨价问题可能会成为常态化。
所以当台积电董事长魏哲家说“CoWoS产能还是不够”的时候,他缺的不是钱,他缺的是这些载板(欣兴、景硕)、探针卡(旺硅、精测)、测试座(京元电、颖崴)、FAU与光纤阵列(上诠、波若威)、切割与钻孔(钛升、万润),还有Underfill胶水(达兴材料、华立、长兴)!

