台积电在最新财报电话会上表示，其A14工艺研发进展顺利，目前性能和良率表现均明显提升，智能手机及AI、高性能计算客户的关注度和参与度较高。

台积电董事长兼首席执行官魏哲家表示，采用类产品测试载具进行验证后，A14工艺的器件性能已接近目标值的90%，256Mb SRAM良率也接近90%。

今年4月，台积电披露A14工艺的目标晶体管性能完成度超过85%，256Mb SRAM良率超过80%。经过约三个月，器件性能进一步提升约5个百分点，SRAM良率则提升近10个百分点。

作为对比，台积电N2工艺在2023年4月时，目标器件性能完成度超过80%，256Mb SRAM测试芯片良率超过50%；到2024年4月，两项指标分别提升至超过90%和超过80%。虽然不同工艺的研发进程无法直接比较，但目前A14在相似开发阶段的性能和良率进展快于N2。

A14计划于2028年下半年进入量产。该工艺采用台积电第二代环绕栅极（GAA）纳米片晶体管，并引入新的标准单元架构，以提升性能、能效和晶体管密度。

与N2相比，台积电预计A14在相同功耗和晶体管数量下，性能可提升10%至15%；在相同频率和复杂度下，功耗可降低25%至30%。混合设计的晶体管密度预计提升约20%，逻辑晶体管密度提升约23%。

客户导入方面，魏哲家表示，台积电观察到智能手机以及高性能计算、AI应用客户对A14保持较高兴趣，相关新产品流片工作正在推进，且进度早于原定计划。

目前A14距离计划量产时间仍有约两年半。相关性能和SRAM良率数据表明，该工艺正在持续成熟，但SRAM测试芯片良率并不能完全代表商业处理器产品的最终功能良率和参数良率。