近日,上海交通大学集成电路学院刘景全团队的李秀妍副教授及其合作者,在国际学术期刊《Nature Communications》上发表了题为“新型相变路径辅助的氧化铪锆铁电薄膜畴取向调控”的研究成果。该研究首次揭示了一种氧化铪基铁电材料从反铁电四方相到铁电正交相的潜在相变路径,为多晶氧化铪基薄膜中铁电畴取向的调控提供了新思路。氧化铪基铁电材料自2011年发现以来,因其良好的CMOS兼容性和尺寸微缩性能,在集成电路非易失性存储领域展现出巨大应用前景。此次研究有望推动高性能铁电器件的设计与优化。