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三星电子计划在1d nm传统结构内存后导入VCT DRAM技术
2 天前
三星电子计划在1d nm的第七代10nm级DRAM内存工艺后，引入VCT垂直通道晶体管技术。该决策旨在利用VCT DRAM在性能和效率上的优势。三星预计，未来2到3年内，相关产品将上市。业界认为，这将促进DRAM内存技术的发展，提升产品性能与效率，满足市场对高性能内存的需求。
