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北京大学电子学院胡又凡-彭练矛团队在碳基模拟电路领域研究中取得重要进展
5 天前
北京大学电子学院胡又凡-彭练矛团队近期基于碳纳米管材料，首次发现碳纳米管CMOS晶体管中亚阈值区存在本征负微分电阻效应和电流超饱和现象。研究显示，碳基CMOS晶体管具有长且平坦的负-正微分电阻转变边界，对应电流超饱和和本征增益奇点，展现出碳基技术在构建下一代模拟与混合信号集成电路中的潜力。
