英伟达定制HBM计划促成罕见合作 三星与台积电联手开发3纳米基底芯片
10 小时前

随着AI市场对高带宽内存(HBM)需求激增,英伟达正推进一项供应链整合计划。其开发的定制高带宽内存NVHBM,将内存控制器集成至HBM堆栈底部的基片中,可提升带宽30%、降低功耗15%,并释放XPU运算晶粒25%的面积。这一技术促使长期竞争对手三星电子与台积电合作,共同打造基于3纳米工艺的基底芯片,以满足未来AI加速器的需求。

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