2026年8月21日，3D存算一体芯片企业谦合益邦宣布，其自主研发的全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功回片并点亮，标志着该芯片从技术验证迈入工程落地阶段。该芯片采用自研三维集成原生计算架构与3D DRAM堆叠技术，首次实现4层芯片在垂直方向的高密度集成，突破了传统平面架构的“内存墙”瓶颈。
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