1、华润微“一种LIGBT器件及其制备方法”专利公布

2、鑫华半导体“一种低成本高纯度合成石英砂的制备方法”专利公布

3、京东方“阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置”专利公布

4、得一微“芯”光闪耀WICV，荣获2024汽车芯片优秀成果案例奖

5、北京大学团队在高灵敏视觉器件研究中取得重要进展

1、华润微“一种LIGBT器件及其制备方法”专利公布

天眼查显示，华润微电子(重庆)有限公司“一种LIGBT器件及其制备方法”专利公布，申请公布日为2024年9月24日，申请公布号为CN118693137A。

本发明提供一种LIGBT器件及其制备方法，该LIGBT器件包括半导体结构、发射极结构、集电极结构、栅结构、浮空接触区、隔离层及二极管结构，其中，半导体结构包括依次层叠的衬底、介电层及外延层；发射极结构包括基区、发射区及发射极接触区；集电极结构包括缓冲区及集电区，缓冲区与基区之外的外延层作为漂移区；栅结构位于基区的上表面；浮空接触区位于外延层的上表层，浮空接触区与集电区间隔预设距离；隔离层位于集电区与浮空接触区之间的外延层的上表面；二极管结构包括位于隔离层上表面且相互邻接的阴极接触区及阳极接触区。本发明通过浮空接触区及二极管结构的设置，消除了集电极电压折回现象，降低了器件的关断损耗与关断时间。

2、鑫华半导体“一种低成本高纯度合成石英砂的制备方法”专利公布

天眼查显示，江苏鑫华半导体科技股份有限公司“一种低成本高纯度合成石英砂的制备方法”专利公布，申请公布日为2024年9月24日，申请公布号为CN118684232A。

本发明涉及半导体级的石英坩埚、石英砂或石英玻璃技术领域，具体涉及一种低成本高纯度合成石英砂的制备方法。本发明针对高纯合成石英砂正硅酸酯类等化合物原材料价格昂贵的主要挑战，使用廉价碱金属硅酸盐作为替代原材料大幅度降低高纯合成石英的成本。此外，对于设备简单可控的常温常压工艺，可以应用于大规模的工业生产中。主要包括以下步骤：首先，将碱金属硅酸盐用高纯水稀释，随后加入除杂剂除去杂质元素并通过离子交换去除钠离子；其次，将溶胶静置并老化获得湿凝胶；最后通过常温常压干燥、破碎以及高温焙烧获得高纯合成石英砂。

3、京东方“阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置”专利公布

天眼查显示，京东方科技集团股份有限公司“阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置”专利公布，申请公布日为2024年9月24日，申请公布号为CN118692988A。

本申请提供了一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置，其中阵列基板的制备方法，包括：提供衬底基板；在衬底基板的多个像素内形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管上方依次形成钝化层和有机膜层；在有机膜层中形成第一开口区，第一开口区覆盖像素的开口区域，以及像素的驱动区域中的第一区域，第一区域在衬底基板上的投影与漏极在衬底基板上的投影至少部分重叠；在第一区域的钝化层中形成贯穿的第一过孔，第一过孔暴露出薄膜晶体管的漏极；在第一开口区形成像素电极，像素电极通过第一过孔与薄膜晶体管的漏极电连接。本申请提供的技术方案，能够提高阵列基板的良率，以及显示装置的可靠性。

4、得一微“芯”光闪耀WICV，荣获2024汽车芯片优秀成果案例奖

10月17日-20日，2024 世界智能网联汽车大会（WICV 2024）在北京亦庄・北人亦创国际会展中心成功举办，吸引了全球智能网联领域的250余家企业携新技术、新产品、新应用参加，展览规格层级、展陈设计、内容成果创历届之最。

高可靠车规存储，“芯”光闪耀WICV

得一微电子（YEESTOR）携其全系列车规存储产品亮相“中国芯软融合展示区”。该展区由国家新能源汽车技术创新中心主办，中国汽车芯片产业创新战略联盟和中国汽车基础软件生态委员会联合承办。作为大会的核心展示平台之一，展区接待了相关国家部委、北京市、北京经开区等多位重要领导莅临展台考察指导，更是“芯”光熠熠，成为大会上最为耀眼的“芯”。

“中国芯软融合展示区”汇聚了中国汽车芯片产业链的上下游头部企业，全面展示了近年来中国汽车芯片生态链的创新成果。得一微作为其中的佼佼者，其系列车规存储产品在优秀国产汽车芯片产品展示区、汽车芯片应用可视化等比车模区域等得到了生动直观的展示，向观众呈现了国产汽车存储芯片的前沿解决方案。

实力彰显，荣获2024汽车芯片优秀成果案例奖

大会期间，由中国科技信息发布的“2024汽车芯片&软件优秀成果案例”评选结果揭晓。得一微电子凭借卓越的技术领先性、创新的产品设计以及强劲的市场竞争力等，其高可靠车规级eMMC存储芯片和解决方案成功入选。

得一微车规eMMC存储芯片被广泛应用于汽车的数字仪表、T-Box、ADAS、智能座舱、车载信息娱乐系统、事件记录仪等系统，已在东风、长安新能源、上汽大通、陕汽等主流汽车品牌中得到批量应用，获得了市场的高度认可。其最新推出的全国产车规级eMMC存储器，采用自研的eMMC5.1主控和长江存储 NAND Flash颗粒，既保证了对车规芯片高性能、高可靠的严苛要求，适应各种极限环境，同时满足供应链自主创新的需求，为国产智能汽车产业的发展提供了有力支持。

随着全球科技革命和产业变革的加速推进，汽车芯片技术不仅是衡量国家科技创新水平的关键指标，更是智能网联汽车发展的核心驱动力，其研发与应用已成为国际竞争的新焦点。

得一微将秉承创新理念，不断加大研发投入，持续引领车载存储技术和产品的革新发展，积极与国内外车企和Tier1厂商开展深入的技术交流与合作，共同推动智能网联汽车产业的繁荣发展。

5、北京大学团队在高灵敏视觉器件研究中取得重要进展

高灵敏视觉器件能够高精度地采集复杂暗光场景信息，通过感内计算完成自主目标识别（图1a），在智能驾驶、机器人和工业自动化等领域具有广泛的应用前景。视觉感内计算依赖有效的光-电调控，往往需要较薄的光电功能层。然而，较薄的光电功能层因其吸光能力弱，导致器件光响应度低。此外，热载流子超快弛豫造成了近30%的光电转换效率损失。近来，卤化物钙钛矿因其本征缓慢的热载流子冷却速率，被视为提升热载流子光电转换性能的潜力材料之一。但是，目前的研究仍然集中在钙钛矿材料层面，尚未在器件层面取得实质性进展。

针对这些关键问题，北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心黄如院士-贺明研究员团队结合理论计算与实验表征，首次揭示了卤化物钙钛矿三碘合铅酸甲铵（MAPbI3）和新型电子-离子氧化物半导体Bi2O2Se能级动量守恒；通过飞秒瞬态吸收光谱，成功追踪了MAPbI3/Bi2O2Se异质结界面能级动量守恒增强的光生热电子输运动力学，实现了高灵敏、宽光谱、正负双极型光电响应；在此基础上，设计构建了高灵敏视觉感内预处理器件阵列，能够在月光环境（0.1 μW/cm2）展现出优异的视觉识别能力，显著提升了视觉器件全天候复杂环境下应用能力。

图1. （a）生物视觉感知机制；（b）MAPbI3与Bi2O2Se能级动量守恒。

首先，研究团队通过第一性原理计算，解析了卤化物钙钛矿MAPbI3与Bi2O2Se的电子能级结构，发现MAPbI3的导带底和价带顶与Bi2O2Se的导带底都位于布里渊区的 Γ 点，揭示了二者之间的能级动量守恒特性（图1b-e）；进而，合成了高质量的MAPbI3/Bi2O2Se薄膜异质结，利用变温光致发光谱扫描，验证了光生热电子能够直接从MAPbI3跃迁至Bi2O2Se，极大地提高了光生热电子输运；最后，利用飞秒瞬态吸收光谱，成功追踪了光生热电子在异质结界面的输运动力学，深入解析其物理机制 （图2）。

图2. MAPbI3/Bi2O2Se异质结能级动量守恒增强的光生热载流子输运动力学。

在此基础上，研究团队设计构建了可重构的MAPbI3/Bi2O2Se异质结光电晶体管型视觉器件，利用能级动量守恒增强的光生热电子输运，实现了高灵敏、宽光谱的正负双极光电响应，其中，正负双极型光响应度达到±107 A/W，比探测率达到 5.2×1011 Jones ，动态范围达到 110 dB，处于国际领先水平；进一步，制备了异质结晶体管阵列，在亮度低至 0.1 μW/cm2 的月光环境下，仍然能够有效执行高斯、拉普拉斯和逆算子等光电感内卷积运算，完成弱光图像传感与预处理（图3a）；最后，异质结晶体管阵列与 YOLOv4 神经网络结合，对比不同光响应度阵列在弱光条件下的图像感知识别能力，表明高灵敏度MAPbI3/Bi2O2Se异质结具有强抗噪能力，能够在更短训练周期内实现更高的弱光目标识别准确度，为推动高灵敏视觉系统及其应用提供了有效可行的方案（图3b）。

图3. MAPbI3/Bi2O2Se异质结仿生视觉晶体管阵列用于弱光环境下图像预处理。

相关研究成果以“Ultrasensitive Dim-Light Neuromorphic Vision Sensing via Momentum Conserved Reconfigurable van der Waals Heterostructure”为题，发表在《自然-通讯》（ Nature Communications , 2024, 15 , 9011）。北京大学集成电路学院2019级博士生许蕾和2021级博士生刘鋆灵为共同第一作者，贺明研究员为通讯作者。研究工作得到了国家高层次人才特殊支持计划、国家自然科学基金后摩尔重大研究计划、科技部重点研发计划、高等学校学科创新引智计划等项目的资助，同时得到了微纳电子器件与集成技术全国重点实验室、集成电路高精尖创新中心、国家集成电路产教融合创新平台等基地平台支持。

论文链接：https://www.nature.com/articles/s41467-024-53268-4