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格易电子“NandFlash的电压控制方法及非易失性存储器”专利获授权
2024-09-05
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来源：集微网
天眼查显示，上海格易电子有限公司近日取得一项名为“NandFlash的电压控制方法及非易失性存储器”的专利，授权公告号为CN111930682B，授权公告日为2024年8月13日，申请日为2020年7月16日。
天眼查显示，上海格易电子有限公司近日取得一项名为“NandFlash的电压控制方法及非易失性存储器”的专利，授权公告号为CN111930682B，授权公告日为2024年8月13日，申请日为2020年7月16日。
本发明公开了一种Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器。该方法包括：监测到开始对选中存储单元阵列的第一衬底放电时，控制电源给非选中存储单元阵列的第二衬底充电，使所述第二衬底获得第一电压；监测到开始对所述第一衬底充电时，基于所述第一电压对所述第一衬底充电，使所述第一衬底获得第二电压；在所述第二电压的基础上将所述第一衬底充电至目标电压。通过上述技术方案，预先利用电源给第二衬底充电，并在第一衬底需要充电时，利用第二衬底获得的电压给第一衬底充电，解决了直接用电源给第一衬底时速度较慢的问题，提高第一衬底的充电速度，从而提高对选中存储单元阵列擦除操作的速度。
