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据彭博社报道，台积电周三正式开始在亚利桑那州凤凰城附近建造其第三个半导体工厂——Fab 21三期。Fab 21工厂的第三个模块在2028年至2030年期间完工后将能够使用该公司的N2、N2P（2 纳米级）和A16（1.6 纳米级）工艺技术生产芯片。
这一发展与台积电面临的政治压力不断增加相吻合，因为就在上周，台湾当局通过了一项法律，根据该法律，台积电不能将其最先进的制造工艺出口到海外工厂，并且必须获得台湾当局的批准才能投资其海外项目。到2028年底，台积电将开始在台湾地区的A14制造工艺上生产芯片，因此它将拥有在美国开始在其N2P、A16和衍生节点上生产芯片的合法权利。
台积电Fab 21三期的建设是该公司3月份宣布的在其美国生产设施上投资1650亿美元项目的一部分。根据该计划，Fab 21模块3和模块4将采用台积电的2纳米级工艺技术（包括N2、N2P、N2X和A16）生产芯片，而Fab 21模块5和模块6将使用更先进的工艺，包括A14（1.4纳米级）和衍生产品。
尽管台积电在其Fab 21工厂投入了大量资金——该工厂最终将不仅容纳六个晶圆厂模块、两个先进封装设施和一个研发中心——并计划使其成为其主要生产中心之一，但看起来台积电无法合法地将其最先进的生产技术转移到Fab 21。这将影响其盈利能力。
美国商务部长霍华德・卢特尼克（Howard Lutnick）在该项目破土动工的当周参观了这一地点，该项目常被称为美国有史以来最大的外资项目。据报道，卢特尼克表示，企业可能需要加大在美国的业务布局，才能获得《芯片与科学法案》（CHIPS and Science Act）下的联邦半导体资金，这意味着不符合预期的企业可能无法获得补贴。然而，美国政府在法律上也有义务在2026年底前，向台积电（TSMC）、英特尔（Intel）、格芯（GlobalFoundries）、德州仪器（Texas Instruments）、三星（Samsung）等公司提供《芯片法案》资金。
