1. 有研硅拟收购两家标的公司剩余股权，完成后将实现100%控股

2. 广东先导微电子：深耕光电与集成电路材料，提升上游自主供应能力

3. 台积电CoWoS产能扩产仍无法跟上AI需求

4. 鼎龙股份拟变更经营范围，删除集成电路芯片设计及服务相关业务，同步修订公司章程

5. Rapidus社长放话：2040年前后拟在月面建设半导体工厂

6.三星与高通重启2nm合作谈判，或与台积电共同争夺订单

7.韩国半导体出口首破400万亿韩元！AI需求推升三星、SK海力士业绩

1. 有研硅拟收购两家标的公司剩余股权，完成后将实现100%控股

2026年09月12日，有研半导体硅材料股份公司发布《有研半导体硅材料股份公司董事会关于本次交易符合

根据公告内容，公司拟以发行股份及支付现金的方式向中国有研科技集团有限公司、德州汇达半导体股权投资基金合伙企业（有限合伙）购买山东有研艾斯半导体材料有限公司合计71.89%的股权；拟以发行股份的方式向德州经济技术开发区景泰投资有限公司购买山东有研半导体材料有限公司14.98%的股权。同时公司拟向不超过35名特定对象发行股份募集配套资金，上述发行股份购买资产及募集配套资金事项合称本次交易。

公司董事会对本次交易是否符合相关监管规则进行了审慎分析，认为本次交易标的资产为山东有研艾斯71.89%的股权和山东有研半导体14.98%的股权，交易完成后，上市公司将持有山东有研艾斯100%股权及山东有研半导体100%股权。山东有研艾斯、山东有研半导体符合科创板定位，与上市公司处于同行业，且与上市公司主营业务具有协同效应，本次交易有利于促进上市公司主营业务整合升级和提高上市公司持续经营能力。

综上，公司董事会认为本次交易符合《上海证券交易所科创板股票上市规则》第11.2条、《科创板上市公司持续监管办法(试行)》第二十条及《上海证券交易所上市公司重大资产重组审核规则》第八条的规定。

2. 广东先导微电子：深耕光电与集成电路材料，提升上游自主供应能力

9月9日，第27届中国国际光电博览会（CIOE）在深圳国际会展中心（宝安新馆）正式启幕。作为化合物半导体材料领域的本土供应商，广东先导微电子科技有限公司（以下简称“先导微电子”）携化合物半导体衬底、电子级高纯金属、半导体前驱体、电子特气及相关材料耗材亮相。展会首日，公司商务市场负责人江宁博士接受集微网专访，围绕业务布局、行业趋势与国产替代等话题展开交流。

广东先导微电子科技有限公司商务市场负责人江宁博士（左）

十二年磨一剑，深耕半导体材料核心赛道

先导微电子的业务源头可追溯至2012年，公司于2020年正式成立，总部位于广东清远高新区。2026年8月增资完成后，公司注册资本约12.01亿元。公司自有厂房近8万平方米，其中洁净间面积约6000平方米，为高纯材料的加工与生产提供了环境保障。

作为先导基电（600641.SH）的控股子公司，先导微电子聚焦化合物半导体（光电材料）与集成电路两大方向，产品覆盖化合物半导体衬底、电子级高纯金属、半导体前驱体材料和电子特气四大领域，下游应用于光通信、显示面板及光伏新能源等行业。

2026年7月，先导基电公告拟以20亿元增资取得先导微电子控制权；8月31日，先导微电子完成工商变更登记。此次交易进一步完善了先导基电“半导体装备+核心零部件+半导体新材料”的平台化布局。

“加入先导基电体系后，我们可以共享在材料提纯、精密加工、高纯工艺控制等领域的核心技术成果，”江宁博士表示，“更重要的是，依托先导科技集团在镓、锗、铟等稀散金属方面的自有产能，我们从源头就保障了原料安全。”

多环节贯通，四大产品线构筑材料矩阵

本次光博会上，先导微电子重点展出了围绕光电与化合物半导体产业链多个关键环节布局的产品。

衬底材料是展台的核心亮点。公司具备2至8英寸砷化镓衬底、4至8英寸锗衬底的供应能力。砷化镓衬底是850nm/940nm VCSEL的核心基础材料，广泛应用于数据中心短距光模块和3D传感领域；锗衬底则主要用于空间太阳电池及红外光学领域。

高纯金属方面，公司具备7N级镓、锑、砷、铝的供应能力，并实现超高纯8N级镓量产。高纯镓、锗、砷等是化合物半导体和红外光学的基础原料，其纯度直接影响衬底和外延质量。“以砷化镓为例，其核心原料就是高纯镓和高纯砷，”江宁博士解释道，“通过公司在高纯金属方面的能力和集团稀散金属资源的协同，我们能够从源头提升材料供应的稳定性。”

外延材料方面，公司展出了MO源和MBE源。MO源用于MOCVD工艺，MBE源用于分子束外延工艺，是生长光电器件发光层、探测层的重要材料。公司同时布局两类源材料及前驱体，为光电器件外延环节提供配套支持。

PBN热解氮化硼坩埚作为“看不见但离不开”的关键耗材也在展位亮相。它是化合物半导体晶体生长和MBE外延的关键容器，纯度和稳定性直接影响晶体质量。

“我们的竞争力在于围绕‘从原料到衬底’形成了多环节布局，”江宁博士说，“高纯金属提纯—衬底晶体生长—外延源材料—关键耗材，主要环节实现了体系内协同。这在国内光电材料供应商中比较少见。我们可以提供配套材料方案，帮助客户减少不同供应商之间的衔接成本。”

AI算力浪潮，带动上游材料需求

AI数据中心的建设正推动光通信链路向更高速率演进，CPO、短距光模块和3D传感等应用带动上游化合物半导体材料需求提升。英伟达此前宣布，Spectrum-X以太网硅光CPO交换机已进入全面量产阶段，CPO技术正加速走向规模化应用。

对先导微电子而言，相关机会主要来自砷化镓衬底、锗衬底及电子级高纯金属等现有布局。其中，砷化镓衬底可服务于850nm/940nm VCSEL及短距光模块场景，锗衬底则主要面向空间太阳电池和红外光学应用。

“最大的感触是上游材料供应越来越紧张，”江宁博士表示，“AI的爆发，无论是规模还是技术要求都提升了一个档次。这对具备高纯材料和衬底能力的企业是一个重要市场契机。”他同时指出，挑战同样存在，“产能扩展能否跟上市场需求，大尺寸衬底的良率如何提升，都是需要攻克的课题。但我们从原材料提纯到衬底加工形成了一体化布局，在质量控制和供应响应上更有优势。”

延伸布局，先进存储材料进入全球供应链

除光电材料外，公司在先进存储领域亦有布局。随着AI应用带动DRAM、HBM需求增长，公司的高纯前驱体产品可服务于先进存储的介质与电容材料环节。

据江宁博士介绍，四氯化铪在DRAM的High-K介质层中用量较大，公司目前在全球供应量中位居前列。另一款产品二氯二氧化钼则面向下一代高层数存储的“以钼代钨”趋势。“随着存储器件向更高层数演进，钼材料方案受到关注。我们提前布局了这一材料，目前已成为全球二氯二氧化钼核心供应商之一，进入国际半导体供应链体系。”

国产替代窗口开启，多环节布局夯实供应底座

在高纯金属、化合物衬底、外延源材料等环节长期存在进口依赖的背景下，先导微电子从原材料提纯到衬底加工进行纵向布局，定位为国内光电材料领域可信赖的本土供应商。

“先导花了非常多的时间、很多年去攻关突破，”江宁博士说，“这些材料长期依赖进口，我们的定位很清晰——做核心的本土供应商，保障光电半导体行业上游材料的安全供应，不要被‘卡脖子’。”

谈及镓等关键材料的出口管制，他表示：“出口管制实施后，海外客户采购相关产品需要按规申请许可。我们也观察到，海外客户对供应链稳定性的关注在增加，部分企业会重新评估在中国布局或加强本土供应链合作的可能性。这不是简单的产能转移，最终还是要看客户、成本、技术和整体产业环境。”

展望未来：依托上市公司平台，强化材料供应能力

纳入先导基电体系后，先导微电子将进一步对接上市公司在半导体装备、核心零部件和半导体新材料方面的平台资源，加快产品协同与客户服务能力建设。

“先导基电的平台资源很好，集团旗下还有设备和零部件企业，客户资源具有协同空间，”江宁博士表示，“我们可以依托这个平台服务同一批客户，提供更多产品。同时，公司也将结合产业发展需求，持续加强研发和供应保障能力。”

他进一步表示：“我们希望继续深耕光电半导体和集成电路材料两大赛道，做国内可信赖的本土材料供应商。借助先导基电的平台，与产业链伙伴协同，为中国半导体材料体系的完善贡献力量。”

3. 台积电CoWoS产能扩产仍无法跟上AI需求

据媒体11日报道，台积电CoWoS产能扩产仍无法跟上AI需求，且扩充产能需要时间，也让订单外溢带动“非台积电阵营”英特尔、日月光、Amkor、联电、世界先进等需求高速成长。

分析指出，台积电CoWoS产能预计从2026年底的130 kwpm将在2028年底的扩至260 kwpm。

事实上，台积电CoWoS订单已爆满多年，主要是先进封装后段扩产速度跟不上台积前段需求，先前已外传后段先进封装部分英特尔马来西亚厂加入协助帮忙，一同服务大客户。

台积电董事长魏哲家先前在7月法说会上已公开指出，台积电专注前段先进封装，后段短缺部分乐见更多厂商加入供应产能，进而能提供弹性。

4. 鼎龙股份拟变更经营范围，删除集成电路芯片设计及服务相关业务，同步修订公司章程

2026年09月12日，湖北鼎龙控股股份有限公司发布《关于变更经营范围并修订〈公司章程〉的公告》，本公司及董事会全体成员保证信息披露的内容真实、准确和完整，没有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏。

公告显示，鼎龙股份于2026年9月11日召开第六届董事会第十七次会议，审议通过了《关于变更经营范围并修订〈公司章程〉的议案》。

经营范围变更方面，变更前的一般项目包含“集成电路芯片设计及服务”，变更后的经营范围删除了该项内容，其余一般项目及许可项目保持不变，许可项目仍为危险化学品经营。

公司章程修订方面，鉴于经营范围变更情况，公司拟对《公司章程》第十五条对应内容进行同步修订，删除“集成电路芯片设计及服务”相关表述，除上述条款外，《公司章程》其他条款内容不变。

公告提示，最终经营范围需以市场监督管理部门核准登记为准。

5. Rapidus社长放话：2040年前后拟在月面建设半导体工厂

9月10日，日本Rapidus社长小池淳义在美国哈德逊研究所主办的活动上发表演讲，透露公司设想于2040年前后在月球表面建设半导体工厂。小池淳义表示，月球表面拥有半导体制造所需的水资源等条件，并强调这一构想“不是玩笑，而是认真的计划”。

小池淳义当天还在现场播放了据称利用AI制作的月面半导体工厂概念视频。他提到，美国企业家埃隆·马斯克正在规划向月球运输人员和货物的业务，并称“马斯克应该也会非常喜欢这段视频”，引发现场笑声。

虽然月面建设半导体工厂仍面临巨大技术与工程挑战，但小池淳义表示这一构想旨在推动年轻技术人员积极进取。值得注意的是，当天与小池一同出席活动的还有IBM CEO克里希纳。IBM目前正与Rapidus合作，支持其北海道工厂实现2纳米制程半导体量产，双方还在共同研发性能更高的1纳米级半导体。

6.三星与高通重启2nm合作谈判，或与台积电共同争夺订单

据报道，随着2nm工艺良率持续改善，三星电子晶圆代工部门与高通正重新就2nm芯片生产展开接触，双方目前正在讨论产品规格、价格及工艺优化等事项。业内认为，高通可能考虑由三星电子与台积电共同代工，但三星最终能够获得多少订单仍存在不确定性。

三星与高通的合作关系曾因骁龙8 Gen 1处理器的发热及功耗问题降温。该芯片采用三星4nm工艺生产，此后，高通从骁龙8+ Gen 1开始，逐渐将旗舰芯片订单转向台积电，最新的骁龙8 Elite Gen 5也由台积电代工。

随着三星2nm工艺良率提升，双方关系开始出现缓和迹象。业内估计，三星SF2、SF2P工艺良率已从2025年下半年的约20%，提高至目前的50%—60%。TrendForce数据显示，截至今年4月，台积电2nm工艺良率约为60%—70%，三星则约为55%。

高通计划于9月22日在夏威夷举行的骁龙峰会上推出下一代旗舰应用处理器骁龙8 Elite Gen 6，以及定位更高的Pro或Extreme版本。此前有消息称，考虑到三星2nm良率改善以及台积电2nm晶圆价格较高，高通正在评估双供应商代工方案。不过，近期也有报道称，两款芯片仍可能全部采用台积电工艺，三星能否获得订单尚未确定。

目前，良率及量产稳定性仍是影响三星争取订单的主要因素。报道称，高通对大规模代工的良率要求约为70%，而三星2nm工艺目前仍处于50%多至60%出头水平。相比之下，台积电N2工艺良率已达到约70%，并计划推动改进版N2P工艺年内实现80%的量产良率。

不过，在产能方面，三星或具备一定竞争机会。台积电计划于今年第四季度将2nm月产能提升至6万片晶圆，但苹果据称已锁定超过一半的初期产能，用于iPhone 18及M6芯片。同时，台积电3nm产能面向英伟达和AMD的订单据称已基本排至2027年，高通可能面临先进制程产能紧张的问题。

业内人士指出，对三星而言，重新获得高通旗舰芯片订单的象征意义可能超过订单规模本身，但能否证明2nm工艺具备稳定的大规模量产能力，将成为双方合作能否落地的关键。

7.韩国半导体出口首破400万亿韩元！AI需求推升三星、SK海力士业绩

韩国半导体出口今年以来首度突破400万亿韩元大关，人工智能（AI）基础设施需求持续带动高带宽存储器（HBM）等产品需求，三星电子与SK海力士业绩同步走强，半导体在韩国出口结构中的占比也进一步攀升。

韩国关税厅周五（11日）公布数据显示，9月前10天韩国半导体出口额达164.8亿美元，同比增长270.1%，创历年同期新高。

同期，韩国整体出口额为349.7亿美元，半导体占比达47.1%，较去年同期大增23.9个百分点。

今年以来截至9月前10天，韩国半导体累计出口额已达2976.8亿美元，折合约400.5万亿韩元，首度突破400万亿韩元。

韩国半导体出口规模也已远超过去年度纪录。2025年全年出口额为1734亿美元，2024年则为1419亿美元；今年9月初，2025年的年度纪录便已被大幅超越。

若目前出口增长趋势延续，韩国半导体出口有望连续第3年创下年度新高。

半导体成韩国突破1万亿美元出口关键

半导体产业景气升温，也推动韩国朝年度出口额突破1万亿美元的目标迈进。

韩国关税厅数据显示，截至9月10日，韩国今年累计出口额已达7285.6亿美元，超越2025年全年7093亿美元的出口规模。

目前全球仅美国、中国与德国曾实现年度出口额突破1万亿美元，韩国若要成为第4个达成这一规模的国家，半导体出口能否维持强劲增长，将成为重要因素。

随着全球AI基础设施投资预计在下半年持续增长，半导体需求能否延续目前的强势表现，也将直接影响韩国全年出口表现。

三星、SK海力士受惠AI存储器需求

三星电子与SK海力士是此次韩国半导体出口增长的主要支柱，两家公司均受惠于AI应用带动的HBM需求，以及存储器芯片价格上涨。

三星电子半导体业务第一季度营收达81.7万亿韩元，营业利润为53.7万亿韩元；第二季度营收进一步升至127.5万亿韩元，营业利润达89.2万亿韩元。

累计上半年，三星电子半导体业务营收达209.2万亿韩元，营业利润为142.9万亿韩元。

SK海力士第一季度营收为52.5763万亿韩元，营业利润37.6103万亿韩元；第二季度营收增至79.3187万亿韩元，营业利润达60.5426万亿韩元。

上半年SK海力士累计营收为131.895万亿韩元，营业利润98.1529万亿韩元，营业利润率达76.3%。

KB证券表示，随着存储器芯片价格上涨及HBM供应增加，三星电子已进入业绩快速增长阶段。

KB证券研究主管Kim Dong-won指出，在现行3年股东回报计划下，三星电子预计第三季度进行30万亿韩元现金分红，年内也可能通过股票回购及注销、现金分红等方式进一步提高股东回报，目前剩余可用资金约80万亿韩元。

他表示，三星电子即将公布的新一轮3年股东回报政策，可能进一步提高分红比例，使股东回报率超过目前自由现金流50%的水平。

半导体热潮延烧 韩股资金聚焦龙头

三星电子与SK海力士业绩强劲，也带动韩国投资者对半导体股的关注。

金融数据机构FnGuide统计，9月1日至7日，三星电子以1672次搜索次数成为韩国投资者搜索最多的股票，SK海力士则以1342次排名第2。排名第3的现代汽车搜索次数为679次，与两大半导体企业存在明显差距。

半导体市场的乐观情绪也延伸至海外市场。美国投行Piper Sandler给予AMD“增持”评级，并将目标价设定为600美元。

此外，韩国生物医药产业也受到市场关注。KOSDAQ市值最大的企业Alteogen与瑞士制药商诺华签署独家授权协议，将ALT-B4平台授权予诺华使用。

新韩证券分析师Um Min-yong表示，这是诺华首次将基因疗法转换为皮下注射剂型的相关合作，技术授权规模也超出市场预期，业务范围进一步从肿瘤药物拓展至新的治疗模式。随后，他将Alteogen目标价上调至54万韩元。

整体而言，AI需求正成为推动韩国出口增长的重要力量。随着HBM等高附加值半导体产品需求增加，半导体占韩国出口的比重持续攀升，其对韩国经济与资本市场的影响也进一步扩大。（来源： 钜亨网）