过去，EUV光刻机一直是台积电、Intel等先进逻辑晶圆厂商争相采购的核心设备。不过，这一局面正在发生变化。随着DRAM制程不断微缩，存储厂商也开始加入EUV采购大军。从南亚科、华邦电子，到三星、SK海力士，越来越多DRAM厂商正在加快EUV布局。 

这背后的原因并不复杂。过去DRAM制造主要依靠传统光刻技术，但随着制程进入更先进的世代，传统光刻工艺需要通过更多次曝光来实现更精细的电路图形，制造复杂度和成本也随之增加。EUV能够减少多重曝光的使用，在先进DRAM制造中的价值越来越突出。尤其是随着HBM和高性能DRAM需求增长，存储厂商也需要通过先进制程提高产品竞争力。

问题是，EUV光刻机目前只有ASML一家能够供应。过去主要由先进逻辑晶圆厂商争夺的设备，现在又迎来了DRAM厂商这一批新买家。ASML已经表示，2027年至2028年的设备供应量可能无法满足客户需求，这场围绕EUV光刻机的争夺，显然还会继续升温。

南亚科、华邦电子开始布局EUV

先来看台湾DRAM厂商。南亚科和华邦电子虽然在规模上无法与三星、SK海力士和美光相比，但两家公司都已经开始为EUV导入做准备。这也说明，EUV正在从少数头部存储企业的先进制程工具，逐渐成为更多DRAM厂商未来技术路线中的重要组成部分。

南亚科此次的动作尤其大。根据报道，公司计划在2026年至2029年期间，为新建DRAM工厂Fab 5A投入约3466亿新台币，折合约107亿美元。这是南亚科成立以来规模最大的投资项目之一，也是台湾DRAM产业近年来规模较大的单一投资计划。新厂的主要任务，是推动先进DRAM制程发展，并逐步导入EUV设备。

按照南亚科的规划，Fab 5A将围绕1B、1C、1D和1E等制程世代展开建设。目前，公司1C制程已经进入试产阶段，1D制程开发也接近最后阶段。新厂预计从2027年下半年开始生产晶圆，2028年月产能达到3万片，2029年进一步提升，最终目标是达到每月4.5万片。对于南亚科来说，这次扩产不仅是增加晶圆产能，更重要的是借助新厂完成制程升级，提升在DDR5等产品市场中的竞争力。

华邦电子的EUV导入时间表则相对靠后，但相关准备已经开始。根据MoneyDJ报道，华邦电子总经理陈沛铭表示，公司14nm制程将分为两个技术世代，其中一个不使用EUV，另一个则会导入EUV。如果研发进展顺利，预计2030年正式导入。

值得注意的是，华邦电子与ASML围绕EUV的合作已经持续约三年半，公司已经派员前往ASML接受培训，并进行设备试跑和量测。陈沛铭还透露，ASML承诺首台EUV设备大约两年后可以交付，而后续设备按照目前的交期则需要约三年半。换句话说，华邦电子虽然将EUV正式导入时间放在2030年，但设备采购、人员培训以及工艺准备都需要提前进行。

与此同时，华邦电子也在推进高雄厂扩建。公司此前通过了700多亿元新台币的相关投资，用于Module B厂房土建、机电设施以及部分长交期设备采购。对于华邦电子这样的存储厂商而言，先进制程升级并不是单纯购买一台光刻机就能完成，还需要配套厂房、生产设备和工艺开发。EUV导入周期较长，也意味着企业必须提前安排投资。

三星、SK海力士加紧采购，EUV设备交期越来越紧张

如果说南亚科和华邦电子代表的是EUV应用范围进一步扩大，那么三星和SK海力士则是这轮设备争夺中最重要的采购力量。两家韩国存储巨头正在加大EUV设备采购力度，背后是先进DRAM制程升级以及未来产能扩张的双重需求。

据韩国《朝 鲜经济》11月8日报道，三星电子与SK海力士正在加紧向ASML订购EUV光刻机，两家企业各自涉及的投资规模达到10万亿至20万亿韩元。SK海力士此前在今年3月已经披露，将采购价值约11.95万亿韩元的EUV设备，交付期限为2027年12月31日。由于关键设备供应趋紧，部分设备的交付周期最长已经达到此前的两倍，两家公司也在考虑提前下单，并根据实际需求追加采购。

三星的设备需求与平泽园区扩建计划密切相关。三星此前公布了未来五年在韩国投资450万亿韩元的计划，其中包括平泽园区第五生产线（P5），目标是在2028年开始运营。据报道，P5单座厂房的投资规模超过60万亿韩元，第一阶段洁净室预计在2027年上半年完成。随着厂房建设推进，后续设备搬入也将逐步展开，EUV光刻机自然是其中的重要设备。

三星和SK海力士为什么如此重视EUV？一个很直接的原因是，先进DRAM制程对EUV的依赖程度正在提高。以SK海力士的1c DRAM为例，TrendForce此前指出，该公司计划在这一代产品中使用5层以上EUV工艺，比上一代增加约2层。随着制程继续微缩，EUV应用层数增加，意味着同样规模的DRAM产能，也可能需要配置更多EUV设备。

这也是存储厂商现在需要提前锁定设备的原因。DRAM制造并不是等到新厂建好之后再采购设备，光刻机的交付、安装、调试以及工艺验证都需要相当长的时间。如果设备无法按计划到位，整个新厂的投产节奏都可能受到影响。对于正在推进下一代DRAM和HBM产品的三星、SK海力士来说，设备供应已经成为产能规划中必须考虑的因素。

而ASML的产能扩张，目前还无法完全满足市场需求。公司在第三季度业绩说明中表示，2027年至2028年的EUV设备供应量可能都无法满足客户需求。今年ASML预计出货约65台EUV设备，相比去年的44台增长接近50%。即便公司计划在2027年将产能提高30%，并研究在2028年进一步增加30%的产能，仍然难以完全覆盖客户需求。

这意味着，EUV设备市场的竞争正在进入一个新的阶段。过去，台积电、Intel等先进逻辑晶圆厂商是EUV采购的主要力量，如今DRAM厂商也在加大投入，南亚科、华邦电子这样的企业甚至已经开始为未来数年的EUV导入做准备。对于ASML而言，存储市场无疑提供了新的需求来源；但对于芯片制造商来说，能否提前获得设备，可能直接影响下一代制程的推进速度。

EUV光刻机，已经不只是逻辑芯片厂商的必争之地，DRAM厂商也加入了这场争夺。