俄自研EUV光刻机曝光:11.2nm光源,每小时处理60片12吋晶圆
2024-12-21

12月20日,Cnews报道,俄罗斯公布了自主研发EUV光刻机的路线图,旨在打造比ASML系统更经济的设备。这些光刻机将使用波长为11.2nm的镭射光源,而非ASML的标准13.5nm波长。由于这一波长与现有EUV基础设施不兼容,俄罗斯需独立开发相应的曝光生态系统,预计耗时可能长达数年甚至十年以上。该计划由俄罗斯科学院微观结构物理研究所主导,旨在通过创新技术降低光刻机成本,同时保持高性能。