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三星准备采用HBM4混合键合技术以降低发热量并提升带宽
3 天前
三星电子在首尔的人工智能半导体论坛上宣布，其HBM4内存堆栈将采用混合键合技术，以降低热阻并实现超宽内存接口。此举旨在满足人工智能和高性能计算应用对带宽和效率日益增长的需求。HBM4通过提升频率和数据位数，实现了内存带宽的大幅提升。
