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新一代3D X-DRAM技术亮相提供比当前DRAM模块10倍的容量

1 天前

NEO Semiconductor公司近日宣布推出两种革命性的3D X-DRAM单元设计——1T1C和3T0C，有望重塑DRAM内存行业。这两种设计分别采用单晶体管单电容和三晶体管零电容架构，预计2026年投入概念验证测试芯片生产，其容量可达当前普通DRAM模块的10倍。

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