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中科院量子材料新突破：单层二硒化钨中的神奇拓扑激子密度波
2025-03-13
中国科学院半导体研究所与浙江大学合作，在单层二硒化钨（WSe₂）中通过理论计算发现了稳定性极强的拓扑激子绝缘体。研究显示，大量激子凝聚时，材料表面会形成拓扑激子密度波，如“量子条纹地毯”，为量子材料研究提供了新体系与思路。
