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传三星将采用长江存储专利技术 用于下代V-NAND闪存
2025-02-25
长江存储已推出第五代3D TLC NAND闪存，采用Xtacking 4.0架构，实现了高密度与垂直栅密度的提升。同时，三星电子宣布将从第10代NAND开始，采用长江存储的混合键合技术，旨在增强产品性能和散热能力，预计2025年下半年量产堆叠层数达420至430层的第10代V-NAND闪存。此外，SK海力士也正与长江存储就专利协议进行谈判。
