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维安半导体“一种低钳位内嵌降容二极管的新型可控硅器件”专利获授权
2025-02-14
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来源：集微网
天眼查显示，上海维安半导体有限公司近日取得一项名为“一种低钳位内嵌降容二极管的新型可控硅器件”的专利，授权公告号为CN111092117B，授权公告日为2024年12月31日，申请日为2020年02月21日。
天眼查显示，上海维安半导体有限公司近日取得一项名为“一种低钳位内嵌降容二极管的新型可控硅器件”的专利，授权公告号为CN111092117B，授权公告日为2024年12月31日，申请日为2020年02月21日。
一种低钳位内嵌降容二极管的新型可控硅器件，包括可控硅模块、二极管模块，可控硅模块与二极管模块形成于硅衬底的异质外延层上，可控硅模块与二极管模块分别采用深槽DTI隔离。本发明产品解决了集成二极管的可控硅器件钳位电压高的问题，获得一种在同等面积和同等电容下，钳位电压更低的器件。
