随着DRAM 超级周期正式来临，多份产业报告指出存储器与快闪存储器的长期供应将持续紧张。自第二季度以来，DDR4 存储器价格一路攀升，带动DDR5 也跟着回升，让近期有装机需求的消费者因此面临更高成本压力。

今年9 月，存储器与快闪存储器巨头美光科技( MU-US ) 和SanDisk ( SNDK-US ) 相继发布涨价通知。继SanDisk 宣布储存产品价格上调逾10% 后，美光也通知渠道商，其储存产品将上涨20% 至30%。

价格飙升的背后源于人工智慧（AI）的爆发性增长。多份报告指出，AI 正推动DRAM 存储器进入新的「超级周期」。

其中的核心驱动力来自高频宽存储器（HBM）的广泛应用，特别是科技巨头积极开发定制化ASIC 芯片，以提升自身AI 系统的效能。

随着AI 高速发展，DRAM 产能正承受前所未有的压力。每一套AI 计算集群都需要大量HBM 存储器，进一步推升了对基础DRAM 晶圆的需求。

TrendForce 数据显示，全球DRAM 供应商的库存周期仅剩3.3 周，创近七年新低，远低于行业平均的10 周水准，显示市场供不应求的压力正急速升高。

除了超微半导体( AMD-US ) 、英伟达( NVDA-US ) 等公司对HBM 存储器的庞大需求外，各大科技公司也积极开发自有AI ASIC 芯片，进一步推升了市场对DRAM 的需求预期。

瑞银分析师预测，OpenAI 即将推出的ASIC 芯片将采用12 层堆叠的HBM3E 技术。仅此一项目，就可能在2026 至2029 年间消耗全球每月50 万至60 万片DRAM 晶圆产能。

此外，OpenAI 的「星际之门」（Stargate）超级运算集群，预估每月将消耗90 万片DRAM 晶圆，约占全球总供应量的40%，使DRAM 存储器的战略地位与先进制程芯片相当。

短期内，各家存储器与快闪存储器供应商难以大幅提升产能。为满足AI 需求，三星、海力士和美光等主要DRAM 制造商，已将部分产线转向HBM 产品，并升级至1c 奈米制程以提升产能。

由于全球DRAM 产能高度集中于韩国厂商，未来数年如何满足AI 产业的庞大需求，将是业界面临的关键挑战。

随着HBM4 等新一代高频宽存储器技术即将推出，需求预料将进一步扩大，加速DRAM 产业的成长。

目前，扩充DRAM 供应仍是满足科技巨头对HBM 强烈需求的唯一解方。