人工智能（AI）应用带动存储器需求，外界关注缺货潮将持续多久。这股热潮不仅让研究机构预期DDR5合约价看涨，获利有望于2026年超越新一代高频宽存储器HBM3e，存储器控制芯片厂商慧荣科技总经理苟嘉章昨（1）日更预期，AI带动下，可能缺货一整年。

苟嘉章指出，此次存储器缺货潮并不是供应商减产带动，是结构性缺货。市场绝对会有重复下单情况，实际情况难以掌握，只希望产业能够平衡发展。

苟嘉章预估，DRAM在2026年将全年缺货，不过，随着三星、SK海力士及美光新厂逐步开出，预期2027年缺货情况可望获缓解。至于NAND Flash方面，预估2026年NANDFlash市场也将缺货，预期三年后市场版图将出现变化；除三星、SK海力士及铠侠外，长江存储在中国内需带动下，可望跻身全球前四大厂之列。

TrendForce最新调查指出，由于伺服器需求维持强劲，预期DDR5合约价于2026全年均将呈上涨态势，尤以上半年较显著。反观当前2026年HBM议价情况，随着三大原厂在HBM3e竞争激励，且买方有一定库存水位，预计合约价转为年减。

TrendForce分析，今年第2季HBM3e和DDR5仍有四倍以上价差，前者能带来较佳的获利。随着DDR5价格持续走扬，2026年两者价差明显收敛，第1季起DDR5获利将优于HBM3e。