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SK海力士1c DRAM良率大幅提升至80% 即将进入量产阶段
2025-04-09
SK海力士的1c nm DRAM模块近期实现了约80%的高良率，标志着该韩国巨头在内存制造领域取得了显著进展。在HBM市场的激烈竞争中，SK海力士正积极筹备推出HBM4内存模块。据称，HBM4标准将引领计算能力的新一轮革命，通过提升带宽和存储容量，满足高性能计算和AI应用对内存带宽的极高需求。SK海力士在HBM领域的领先地位，加之其1c nm DRAM技术的高良率，为其在HBM4市场的竞争奠定了坚实基础。
