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芯联集成“功率半导体器件及其制备方法”专利获授权
2 天前
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来源：集微网
天眼查显示，芯联集成电路制造股份有限公司近日取得一项名为“功率半导体器件及其制备方法”的专利，授权公告号为CN119050137B，授权公告日为2025年3月14日，申请日为2024年10月30日。
天眼查显示，芯联集成电路制造股份有限公司近日取得一项名为“功率半导体器件及其制备方法”的专利，授权公告号为CN119050137B，授权公告日为2025年3月14日，申请日为2024年10月30日。
本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种功率半导体器件及其制备方法，其中，功率半导体器件包括：半导体材料层，其内包括第一掺杂区和漂移区；多个栅极沟槽，从上表面延伸穿过第一掺杂区至漂移区内，至少一栅极沟槽内设置有栅极；第一掺杂区包括第一导电类型基区和第一导电类型可控区；第二导电类型发射区，位于第一导电类型基区的表层；邻接布置的第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区，位于第一导电类型可控区内和/或位于所述第一导电类型可控区上；第一导电类型掺杂区与第一导电类型基区和第二导电类型发射区共同连接至发射极金属层，第二导电类型掺杂区和栅极共同连接至栅极金属层；如此，降低了EMI噪声，同时避免载流子大量流失。
