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国产光刻胶通过量产验证：120nm分辨率 配方全自主设计
2024-10-15
武汉太紫微光电科技公司宣布，其自主研发的T150 A光刻胶成功通过半导体工艺量产验证。该产品拥有全自主设计的配方，极限分辨率高达120nm，工艺宽容度强，稳定性卓越，且在密集图形刻蚀后侧壁垂直度表现优异。太紫微公司成立于2024年5月，依托华中科技大学武汉光电国家研究中心团队。光刻胶广泛应用于显示面板、集成电路及半导体分立器件的精细加工。
